一、为什么要自举升压
下图MOS的Vgs=10V。
对于下管，由于S接地，只需要给G端12V，则下管就可以导通。
对于上管如果G给12V电压，上管导通后，电源VM就会加载在S端，此时Vgs=12-VM(12v)=0V，则MOS就会关断，也就是说上管MOS在导通的瞬间就会关断。
所以12V驱动上管是行不通的，需要自举升压电路，不会因为上管导通后S端电压升高而关断。这就需要G端电压始终比S端电压高12V，以确保上管能够持续导通。
二、自举升压电路驱动
下图是分立元件自举升压电路方便电路分析，C3为自举电容，电容的右端称为Vs(浮地)，电容左端称为VB(Vboost)
1、MOS管Q4开通时
假设自举电容在上个周期已经充满电14V。
当PWM为1时，Q1导通，使得C端的电压为低，从而使得Q2的B端电压也为低，Q2导通。此时Q2的E端电压为14V，经过Q2,D2,R4，到达MOS管Q4的G端电压约为12V(所以自举电源的电压需要比MOS驱动电压高约2V)。这样MOS管Q4就导通。此时Q3的B端电压高于E端，Q3关断。MOS管Q4导通后，VM就直接加在Q4管的S端，而S端由于电容右端相连，所以自举电容C3右端被抬高到24V。由于电容两端电压不能突变，所以电容左边的电压也会被抬高=14V+24V=38V（参考GND的相对电压）。这个38V会经过Q2,D2,R4持续给MOS管Q4的G端供电。这样就达到了MOS管Q4的S端和G端同时被抬高24V，且Vgs=12V。
2、MOS管Q关断时
当PMW由1变为0时，Q1断开，Q2的BE没有了电流路径，Q2断开。此时自举电容的泄放路径就被切断了。由于MOS管Q4的G端12V电压会让Q3导通（Q2关断后Q3的B端电压高于E端状态消失），Q3导通后，12V结电荷很快被释放掉(Vgs的电压)，则MOS管Q4的Vgs=0，Q4管关断。
由于马达M是感性负载，电流会续流向右（马达M反电动势），电流通过MOS管Q5内置二极管续流，此时自举电容右端电压为-0.7V，自举电容C3泄放路径也已切断，二极管D1导通，14V电源通过D1给自举电容C3充电。充电过程很快完成(VC3=14V)，PMW继续从0切换到1继续前面的循环。
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